<strike id="vntbd"></strike>

    <em id="vntbd"><form id="vntbd"><nobr id="vntbd"></nobr></form></em>
    <listing id="vntbd"><listing id="vntbd"><meter id="vntbd"></meter></listing></listing> <noframes id="vntbd">

      <listing id="vntbd"><listing id="vntbd"><meter id="vntbd"></meter></listing></listing>

        <address id="vntbd"></address>

        <form id="vntbd"></form>

        您好!歡迎訪問上海攸亦光電科技有限公司網站!
        全國服務咨詢熱線:

        18861577951

        當前位置:首頁 > 產品中心 > 光纖器件 > 光纖 > 光敏單模光纖

        光敏單模光纖

        簡要描述:光敏單模光纖:IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設計用于抑制包層模損耗(無CMF包層模)。該光纖具有類似于大多數標準SMF的模場直徑,其具有相對低的光敏性,該光敏性可以用氫負載來增強。主要優點是與極低雙折射和低相位噪聲相關的包層模抑制,使其適用于補償大色散的光柵。

        • 產品品牌:其他品牌
        • 廠商性質:代理商
        • 更新時間:2024-06-12
        • 訪  問  量:784

        詳細介紹

        品牌其他品牌應用領域綜合

        光敏單模光纖 

        用于布拉格光柵

        我們提供2種不同類型的光敏單模光纖

        IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設計用于抑制包層模損耗(無CMF包層模)。該光纖具有類似于大多數標準SMF的模場直徑,其具有相對低的光敏性,該光敏性可以用氫負載來增強。主要優點是與極低雙折射和低相位噪聲相關的包層模抑制,使其適用于補償大色散的光柵。

        IXF-PHO-CMS設計用于調整包層模式偏移(CMS包層模式偏移),以優化信道間隔。這種光纖具有非常高的鍺纖芯濃度,與國外摻硼纖芯光纖相比具有低的衰減,在沒有氫負載的情況下實現高反射率光柵。CMS系列將使包層模式偏移高達10 nm。

        兩種光敏纖維對常規UV輻射技術都表現出均勻和受控的光敏性。類似的纖維也有聚酰亞胺涂層,適用于惡劣環境。

        光敏單模光纖關鍵特征

        l出色的包層模抑制

        l與傳輸匹配的模場直徑

        應用覆蓋

        l光纖布拉格光柵

        l增益平坦濾波器

        l寬帶濾波器

        l溫度和應變傳感器

        技術數據

        光敏單模光纖 

        主要規格

        產品名稱

        光纖纖芯直徑(μm)

        纖芯數值孔徑

        衰減@1550nm

        (dB/km)

        截止波長(nm)

        模場直徑(μm)

        SMF的拼接損耗(dB)

        包層模式

        IXF-PHO-CMF

        8.2

        0.13

        < 0.5

        < 1400

        10.5 +/- 1

        < 0.07

        < 0.2 dB for FBG > 30 dB

        IXF-PHO-CMF-PM

        8.2

        0.13

        < 0.5

        < 1450

        10.5 +/- 1

        < 0.07

        < 0.2 dB for FBG > 30 dB

        IXF-PHO-CMSp

        5

        0.21

        < 2

        < 1450

        6 +/- 1

        < 0.12

        Shift up to 4 nm

        IXF-PHO-CMS

        2.8

        0.37

        < 10

        < 1450

        4 +/- 1

        < 0.25

        Shift up to 9 nm

        常見規格

        外包層直徑(μm):125+/-2

        涂層直徑(μm):245+/-15

        芯/涂層濃度誤差(μm):<15

        驗證試驗等級(KPSI):100

        產品咨詢

        留言框

        • 產品:

        • 您的單位:

        • 您的姓名:

        • 聯系電話:

        • 常用郵箱:

        • 省份:

        • 詳細地址:

        • 補充說明:

        • 驗證碼:

          請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7
        掃一掃,關注微信
        地址:上海市寶山區高躍路176號511室 傳真:
        ©2025 上海攸亦光電科技有限公司 版權所有 All Rights Reserved.  備案號:滬ICP備2021035236號-1
        欧美日韩国产精品